ГОУ ВПО "Санкт-Петербургский государственный архитектурно-строительный университет" (RU)
Изобретатели:
Мангушев Рашид Абдулович (RU) Ошурков Николай Васильевич (RU) Гутовский Валерий Эдуардович (RU)
Патентообладатели:
ГОУ ВПО "Санкт-Петербургский государственный архитектурно-строительный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к строительству подземных сооружений в сложных инженерно-геологических условиях и в условиях существующей застройки в мегаполисах. Способ строительства многоэтажных подземных сооружений в слабых водонасыщенных грунтах в районах существующей застройки, включающий устройство вертикальных стен, устройство междуэтажных перекрытий и последующее удаление грунта из котлована, отличается тем, что положение вертикальных стен надежно фиксируется в нижней их части бетонной диафрагмой, уложенной на дно котлована без выемки грунта; в верхней части вертикальные стены фиксируются распределительными балками, уложенными на грунтовое основание на отметке верхнего перекрытия сооружения по внешнему контуру котлована, и рамой, уложенной по внешнему контуру котлована на грунтовое основание также на отметке верхнего перекрытия; распределительные балки, в свою очередь, поддерживаются системой горизонтальных продольных и поперечных балок, которые монтируются на уровне перекрытия, после чего грунтовая масса удаляется из котлована до отметки перекрытия нижерасположенного этажа; на уровне нижерасположенного этажа также производятся аналогичные технологические операции по устройству распределительных балок и системы продольных и поперечных балок, поддерживающих распределительные балки; после чего грунтовая масса удаляется до уровня перекрытия следующего ниже этажа и все технологические операции повторяются; окончательно грунтовая масса удаляется из котлована до диафрагмы, закрывающей дно котлована, после чего производится выравнивание поверхности диафрагмы и монтаж перекрытий, в порядке «снизу-вверх». Технический результат состоит в обеспечении повышенной надежности всех элементов конструкции и сооружения в целом. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента