НАСОНОВ И.Д. и др. Технология строительства горных предприятий. - М.: Недра, 1990, с.121. АНДРИЕВСКИЙ А.П. Физико-техническое обоснование параметров разрушения горного массива взрывом удлиненных зарядов//Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук, Новосибирск: 2009. SU 1018461 A1, 27.09.1995. SU 1730355 A1,30.04.1992. SU 1794192 A3, 07.02.1993. RU 2058464 C1, 20.04.1996. RU 2352718 C1, 20.04.2009. UA 49225 A, 15.09.2002. JP 2005146733 A, 09.06.2005.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Андриевский Александр Порфирович (RU) Зуев Алексей Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к горной и горно-химической промышленности и может быть использовано для ограждения и охраны трещиноватого горного массива от возможного проникновения за пределы создаваемого экрана жидких растворов и формирования прочного закрепленного участка, исключающего его обрушение. Способ включает бурение параллельных рядов скважин или шпуров, размещение в них зарядов ВВ в шахматном порядке с воздушными или водными промежутками, одновременное камуфлетное их взрывание и размещение в оставшихся скважинах или шпурах стальных тросов-арматуры с последующим заполнением цементным раствором. Для образования зоны смятия используется инициирование, при этом по математическим формулам в зависимости от горно-геологических и горно-технических условий производства этих видов работ определяются радиус зоны смятия - rсм и длина заряда 3. Длина воздушного промежутка равна длине заряда. Способ позволяет повысить эффективность и безопасность этих видов работ за счет оптимального распределения скважин или шпуров по контуру создаваемого экрана для конкретных горно-геологических и горно-технических условий. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента