Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗНОЙ СТРУКТУРЫ С АЗОТНО - ВАКАНСИОННЫМИ ДЕФЕКТАМИ

Номер публикации патента: 2448900

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010131763/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C01B031/06   C30B029/04   C30B033/04   B82B001/00   B82Y040/00    
Аналоги изобретения: C.BRADAC et al. Observation and control of blinking nitrogen-vacancy centres in discrete nanodiamonds, Nature Nanotechnology Letters, 11.04.2011, p.p.1-5. RU 2215285 C1, 27.10.2003. RU 2237113 C1, 27.09.2004. RU 2328563 C2, 10.07.2008. US 4880613 A, 14.11.1989. US 4950463 A, 21.08.1990. ЕР 1990313 A1, 12.11.2008. WO 2010048607 A2, 29.04.2010.B.R.SMITH et al, Five-Nanometer Diamond with Luminescent Nitrogen-Vacancy Defect Centres, Small, 2009, v.5. Issue 14, p.p.1649-1653. 

Имя заявителя: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 
Изобретатели: Баранов Павел Георгиевич (RU)
Вуль Александр Яковлевич (RU)
Кидалов Сергей Викторович (RU)
Солтамова Александра Андреевна (RU)
Шахов Федор Михайлович (RU) 
Патентообладатели: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 

Реферат


Изобретение может быть использовано в магнитометрии, квантовой оптике, биомедицине, информационных технологиях. Очищенные детонационные наноалмазы спекают в камере при давлении 5-7 ГПа и температуре 750-1200°C в течение времени от нескольких секунд до нескольких минут. На полученный порошок алмазных агрегатов воздействуют излучением лазера с длиной волны менее 637 нм и отбирают алмазные агрегаты с высокой концентрацией азотно-вакансионных (NV) дефектов по яркой характерной люминесценции в красной области спектра. В полученной алмазной структуре примерно 1% атомов углерода замещен NV дефектами и приблизительно 1% атомов углерода замещен одиночными донорами азота. Ориентированные массивы наноалмаза, полученные по изобретению, обладают квазикристаллическими свойствами, облегчающими их исследование и идентификацию. Возможно последующее дробление агрегатов с получением нанокристаллов алмаза, содержащих NV дефекты. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"