|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗНЫЙ СЛОЙ БОЛЬШОЙ ТОЛЩИНЫ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ДРАГОЦЕННЫЕ КАМНИ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫЕ ИЗ ЭТОГО СЛОЯ |  |
Номер публикации патента: 2287028 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/02 C30B025/20 C30B029/04 C23C016/27 C30B033/12 A44C017/00 | | Аналоги изобретения: | CN 1087132 A, 25.05.1994. US 5955155 A, 21.09.1999. HUNN J.D. et al. Ion beam and laser-assisted micromachining of single-crystal diamond. "Solid State Technology", 1994, vol.37, N12, p.p.57-60. PLANO M.A. et al. Characterization of thick homoepitaxial CVD diamond film. "Material Research Society Symposium Proceedings, 399 (Diamond, SiC |
| Имя заявителя: | ЭЛЕМЕНТ СИКС (ПТИ) ЛТД. (ZA) | | Изобретатели: | СКАРСБРУК Джеффри Алан (GB)
МАРТИНО Филип Морис (GB)
ДОРН Бэрбель Зузанна Шарлотта (GB)
КУПЕР Эндрью Майкл (GB)
КОЛЛИНС Джон Ллойд (GB)
УАЙТХЕД Эндрью Джон (GB)
ТУИТЧЕН Даниель Джеймс (GB)
СУССМАНН Рикардо Саймон (GB) | | Патентообладатели: | ЭЛЕМЕНТ СИКС (ПТИ) ЛТД. (ZA) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения алмазных слоев. Сущность изобретения: химическим осаждением из газовой фазы получен слой монокристаллического алмаза (ХОГ-алмаз), имеющий толщину более 2 мм. Способ включает гомоэпитаксиальный рост слоя алмаза на поверхности подложки с низким уровнем дефектов в атмосфере, содержащей азот в концентрации менее 300 млрд ч.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента