|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2154698 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/36 C30B025/02 C30B033/06 C30B033/02 | | Аналоги изобретения: | US 4556436 A, 03.12.1985. SU 1116100 A, 30.09.1984. EP 0456060 A1, 13.11.1991. JP 09263498 A, 07.10.1997. JP 09221397 A, 26.08.1997. |
| Имя заявителя: | НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО., ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | ТАНИНО Кисия (JP)
ХИРАМОТО Масанобу (JP) | | Патентообладатели: | НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО.
ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения монокристаллического SiC, который может быть использован в качестве пластины-подложки для светодиода, рентгеновского оптического прибора высокотемпературного электронного элемента, силового прибора и т.д. Два комплекса М, а каждом из которых поликристаллическая пленка 2-SiC (или - SiC) выращивается на поверхности монокристаллической -SiC подложки 1 термохимическим осаждением, и поверхность 2а поликристаллической пле
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента