Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОЧИСТКИ ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ КВАРЦЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ

Номер публикации патента: 2061804

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 92003019 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/18   C30B033/12    
Аналоги изобретения: 1. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия, 1972, с. 224. 2. Патент США N 4786352, кл. С 23 F 1/02, 1988. 

Имя заявителя: Воронежский государственный университет 
Изобретатели: Раскевич А.М.
Соколов В.И.
Шумило В.И.
Яценко О.Б.
Ергаков В.К.
Вивдюк В.Г. 
Патентообладатели: Воронежский государственный университет 

Реферат


Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов высокой чистоты. Сущность изобретения: способ включает ионноплазменную обработку поверхности кварца в плазме ВЧ-разряда с использованием аргона и кислорода в качестве компонентов плазмообразующей газовой смеси при давлении ниже атмосферного. Способ отличается тем, что плазму ВЧ-разряда возбуждают индуктивным способом из внешнего источника, формируя плазменную струю путем создания избыточного давления плазмообразующей газовой смеси внутри источника и кварцевого изделия по отношению к окружающему их предварительно вакуумируемому рабочему объему с остаточным давлением не выше 5·10-3 Па, при частоте ВЧ-разряда 3oC13,56 МГц, мощности его 700oC25000 Вт, времени обработки 2oC20 мин и парциальном давлении аргона и кислорода 2·10-2 oC 1·10-1 Па и 6·10-2 oC 3·10-1 Па соответственно. После обработки кварцевых ампул их использовали для получения особочистых веществ в идентичных условиях. После получения веществ определяли концентрацию свободных электронов при 77 К, которая не превышала 2·1014см-3, что подтверждает высокую чистоту материалов, полученных в обработанных по предложенным режимом ампулах. 1 н.з.п.ф-лы, 1 ил. 1


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"