|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОКРИСТАЛЛОВ С МИКРОВЫСТУПОМ |  |
Номер публикации патента: 1776099 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B033/04 C30B029/62 | | Аналоги изобретения: | Павлов В.Г. и др. Температурная зависимость минимальной напряженности электрического поля, необходимой для образования термополевых микровыступов. Журнал технической физики, 1977, т.47, вып.2, с.405-409. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Власов Ю.А.
Голубев О.Л.
Шредник В.Н. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к способам получения микрокристаллов, а именно к выращиванию кристаллических микровыступов из металлов с объемноцентрированной кубической решеткой и обеспечивает получение единственного стационарного микровыступа на вершине острия кристалла. Способ включает ориентацию кристалла вдоль кристаллографического направления < III > и изготовление его в виде острия в этом направлении. Затем кристалл нагревают до T0 лежащей в интервале T1≅ T0< Tn, где Tпл - температура плавления, а T1 - температура начала поверхностной самодиффузии атомов металла. К кристаллу прикладывают электрическое поле и увеличивают его напряженность (Н) для появления микровыступа в направлении < III >. После этого ведут наблюдение ионной эмиссии при ступенчатом снижении Н до исчезновения микровыступов-сателлитов. Изготовлено острие из вольфрама с радиусом закругления при вершине R = 1,5 мкм. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента