|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 1566814 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B033/04 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | Заявка ФРГ N 3035120, кл. C 30 B 33/00, 1982. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Константинов П.Б.
Новиков А.П.
Тюнькова Э.В.
Шуляковский А |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия. Способ позволяет повысить процент выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин на этапе резки. Предварительно слиток арсенида индия калибруется, т.е. механически обрабатывается вся его внешняя поверхность. Затем его обрабатывают маломощным лазерным излучением, при воздействии которого на поверхности слитка происходит локальный нагрев участков поверхности и рекристаллизация расплавленного материала, в результате которой происходит уничтожение поверхностных дефектов. Лазер имеет следующие характеристики: мощность излучения 3,40 - 3,90 Вт, длительность импульса 0,004 - 0,006 с, коэффициент перекрытия 0,4 - 0,5. После обработки всей поверхности слитка производится резка его на пластины. Выход годных пластин в результате предварительной лазерной обработки слитка существенно повышен. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента