ZHANG H.-Z. et al, SHG phase matching in GaSe and mixed GaSe1-xSx, x0,412, crystals at room temperature, "Optics Express", 2008, vol.16, No.13, p.p.9951-9957. ZHANG H.-Z. et al, AgGaS2- and Al-doped GaSe Crystals for IR Applications, "Optics Communications", 2011, 284, 1677-1681. Ku, S.A. et al, Physicalproperties of electrooptical GaSe:Al, "Proceedings - 2010 IEEE Region 8 International Conference on Computational Technologies in Electrical and Electronics Engineering", SIBIRCON - 2010, art. no.5555372, p.p.581-583. Tikhomirov A.A. et al, Doped GaSe nonlinear crystals, "Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering", vol.6258, art. no.625809.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU)
Изобретатели:
Андреев Юрий Михайлович (RU) Кох Константин Александрович (RU) Ланский Григорий Владимирович (RU) Светличный Валерий Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технической физике и нелинейной оптике и может быть использовано при создании параметрических преобразователей частоты лазерного излучения в средний инфракрасный (ИК) и терагерцовый (ТГц) диапазоны спектра. Изменение обыкновенного показателя преломления нелинейного кристалла GaSe осуществляют легированием малоразмерным по отношению к химическому элементу Ga химическим элементом Al в концентрации 0,005-0,05 мас.%. Технический результат изобретения заключается в увеличении показателя преломления для волн обыкновенной поляризации в кристаллах GaSe при минимальных изменениях значения показателя преломления для волн необыкновенной поляризации. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента