Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU)
Изобретатели:
Сачков Виктор Иванович (RU) Казарян Мишик Айразатович (RU) Шаманин Игорь Владимирович (RU) Ворожцов Александр Борисович (RU) Буйновский Александр Сергеевич (RU) Софронов Владимир Леонидович (RU) Буряков Тимофей Игоревич (RU) Сосновский Сергей Александрович (RU) Савинов Геннадий Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии неорганических веществ и материалов. Способ включае выращивание алмазного покрытия химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера которой содержит 5-30% метана на единицу объема H2, на поверхности изделий из вольфрама, имеющих осевую симметрию вдоль оси вращения, в игольчатых держателях так, чтобы тело вращения могло свободно вращаться соосно своей оси и подвергаться осевому перемещению со скоростью перемещения радиальной образующей в пределах 10-50 мм/ч. 2 ил.