|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2092629 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B030/08 C30B013/00 | | Аналоги изобретения: | 1. К.-Т.Вильке. Выращивание кристаллов.- Л.: Недра, 1977, с.372-373. 2. Э.С.Копелиович и др. Кристаллизация из расплавов полупроводниковых материалов в космосе.- Цветные металлы, 1991, N 8, с.54. |
| Имя заявителя: | Институт химических проблем микроэлектроники | | Изобретатели: | Мильвидский М.Г.
Верезуб Н.А.
Копелиович Э.С.
Простомолотов А.И.
Раков В.В. | | Патентообладатели: | Институт химических проблем микроэлектроники |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к получению искусственных кристаллов, используемых в различных областях техники и направлено на повышение однородности выращиваемых кристаллов путем сохранения поверхностной пленки во время всего процесса роста кристалла. Сущность: способ выращивания кристаллов в невесомости включает нанесение пленки на поверхность исходного слитка, при этом пленку выполняют из материала с более низкой температурой плавления, чем температура плавления вещества выращиваемого кристалла, и расплав которого смачивает слиток, но не смешивается с веществом кристалла в расплавленном состоянии. Кроме того, пленку выполняют толщиной 0,15-1,0 мм. 1 з. п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента