|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 95109755 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95109755 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | | Изобретатели: | Сальник З.А.
Микляев Ю.А |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского с однородным распределением кислорода по всей длине кристалла при обеспечении его бездислокационной структуры, что позволяет использовать эти кристаллы в производстве интегральных схем с высоким уровнем интеграции. Это достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния вытягиванием на вращающуюся затравку из расплава в тигле, поверхность которого состоит последовательно из цилиндрической и сферической частей, включающем изменение частоты вращения тигля и поддержание постоянной частоты вращения кристалла (Wкр), при Wкр > Wт, изменение частоты вращения тигля (Wт) по мере выращивания осуществляют в зависимости от того, на каком участке тигля находится уровень расплава: цилиндрическом или сферическом. При этом при выращивании кристалла из цилиндрической части тигля Wт увеличивают на (0,1oC0,5) об/мин, а при выращивании из сферической части тигля - уменьшают на (0,15oC0,45) об/мин на каждый сантиметр длины кристалла.
|
Поиск патентов