|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПОЛИТИПА 4H |  |
Номер публикации патента: 913762 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | SU | | Рег. номер заявки: | 2885725 |
|
|
|
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B023/02 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 2854364, кл. 148-1.5, 1958. Авторское свидетельство СССР N 403275, кл. B 01 J 17/30, 1973. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Водаков Ю.А.
Мохов Е.Н |
Реферат | |
1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 - 1000oС/мин. 3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда: азот, фосфор, бор, алюминий, галлий, индий или скандий. 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что с целью получения р-n -перехода, пересублимацию ведут сначала в присутствии легирующего вещества из ряда: азот или фосфор, а затем в присутствии алюминия, или галлия, или бора, или индия.
|
Поиск патентов