|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SIC |  |
Номер публикации патента: 882247 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B023/00 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 2854364, кл. 148-15, 1958. Авторское свидетельство СССР N 403275, кл. C 01 B 31/36, 1973. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Водаков Ю.А.
Мохов Е.Н.
Рамм М.Г.
Роенков А |
Реферат | |
Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 - 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве ≥ 1% от веса источника.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента