Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:
Небольсин Валерий Александрович (RU) Дунаев Александр Игоревич (RU) Завалишин Максим Алексеевич (RU) Сладких Герман Александрович (RU) Татаренков Александр Федорович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением подготовленной пластины в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме паркапельная жидкостькристалл, при этом наносимый на пластину катализатор создают из двухкомпонентного сплава металл-полупроводник эвтектического состава, и осаждение кристаллизуемого вещества из газовой фазы ведут при температуре, минимально превышающей температуру эвтектики. Изобретение обеспечивает возможность получения эпитаксиальных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, не имеющих сужающихся начальных участков у оснований. 4 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента