JP 2008260665 А, 30.10.2008. JP 2007176718 A, 12.07.2007. JP 2003063890 A, 05.03.2003. KR 845946 B1, 11.07.2008.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "ЛАДЛТИ-рост" (RU)
Изобретатели:
Авров Дмитрий Дмитриевич (RU) Дорожкин Сергей Иванович (RU) Лебедев Андрей Олегович (RU) Лучинин Виктор Викторович (RU) Посредник Олеся Валерьевна (RU) Таиров Юрий Михайлович (RU) Фадеев Алексей Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "ЛАДЛТИ-рост" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC предусматривает предварительное травление поверхности затравочного монокристалла SiC в процессе подъема температуры в ростовой ячейке. Травление поверхности затравочного кристалла SiC проводят сублимированным AlN, располагая между затравочным кристаллом и источником SiC источник AlN, например, в виде порошка AlN, размещенного в кювете, закрепленной в ростовой ячейке на держателе напротив затравочного кристалла или в виде пластины со слоем AlN, закрепленной на стенке ростовой ячейки напротив затравочного кристалла. Количество размещаемого в ростовой ячейке AlN определяют из расчета М=3nR(H2+r2), где М - количество размещаемого в ростовой ячейке A1N, г, n=0,52,0 - параметр статистического разброса, R - глубина нарушенного слоя затравочного кристалла, см, р=3,2 - плотность монокристалла SiC, г/см3, Н - расстояние "затравочный кристалл - источник AlN", см, r - радиус затравочного кристалла, см. Способ позволяет упростить и удешевить технологию получения монокристаллического SiC, а также увеличить срок службы ростовой ячейки. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 1 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента