WO 2005100646 А, 27.10.2005. JP 2003327495 A1, 19.11.2003. LOCHER, JOHN W. et al, The production of 225x 325 mm sapphire windows for IR (1-5 µm) applications, Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2003, vol.5078, no.1, p.p.40-46, стр.40, 41, 44, 45. US 2004099206 A1, 27.05.2004. RU 2227820 C1, 27.04.2004.
Имя заявителя:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Изобретатели:
ТАТАРЧЕНКО Виталий (FR) ДЖОНС Кристофер Д. (US) ЗАНЕЛЛА Стивен А. (US) ЛОЧЕР Джон В. (US) ПРАНАДИ Фери (US)
Патентообладатели:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
22.09.2006 US 60/826,723
Реферат
Изобретение относится к технологии получения керамических материалов, в частности монокристаллического сапфира в виде слитков или пластин, которые могут быть использованы при производстве светодиодов. Способ формирования материала монокристалла сапфира с ориентацией в С-плоскости включает затравливание установки с расплавом затравкой, имеющей ориентацию оси С главным образом перпендикулярно продольной оси отверстия формообразователя; кристаллизацию монокристалла сапфира над формообразователем, при этом монокристалл сапфира имеет ориентацию оси С главным образом перпендикулярно основной поверхности сапфира; вытягивание сапфира через первую область, имеющую первый градиент температур, при этом сапфир находится при температуре больше чем 1850°С, причем первая область включает часть сапфира, имеющую длину больше или равную 1 см, последовательное прохождение сапфира через вторую область, имеющую второй градиент температур, который меньше, чем первый градиент температур, при этом сапфир находится при температуре больше чем 1850°С, причем первый градиент температур, по меньшей мере, на 10°С/см больше, чем второй градиент температур и охлаждение сапфира с ориентацией в С-плоскости для получения материала, имеющего менее чем 10000 нарушений дислокации на 1 см2. Полученный материал имеет низкую поликристалличность и/или низкую плотность дислокации. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 14 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента