WO 2006011976 A1, 02.02.2006. US 4912064 A, 27.03.1990. JP 4016597 A, 21.01.1992. US 2006032434 A1, 16.02.2006. RU 2272090 C2, 20.03.2004.
Имя заявителя:
КРИ, ИНК. (US)
Изобретатели:
ЛЕОНАРД Роберт Тайлер (US) БРЭДИ Марк (US) ПАУВЕЛ Эдриан (US)
Патентообладатели:
КРИ, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
06.07.2006 US 11/428,954
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым материалам и технологии их получения и может быть использовано в электронике. Полупроводниковый кристалл карбида кремния содержит монокристаллическую затравочную часть 21 и монокристаллическую выращенную часть 22 на указанной затравочной части 21, при этом затравочная 21 и выращенная 22 части образуют по существу правильный цилиндрический монокристалл карбида кремния 20, причем границу раздела между выращенной и затравочной частью определяет затравочная грань 23, которая по существу параллельна основаниям указанного правильного цилиндрического монокристалла 20 и имеет отклонение от оси на угол примерно 0,5°-12° относительно базовой плоскости 26 монокристалла 20, а указанная монокристаллическая выращенная часть воспроизводит политип указанной монокристаллической затравочной части и имеет диаметр, по меньшей мере, примерно 100 мм. Изобретение обеспечивает получение высококачественных (с малым содержанием дефектов) монокристаллов карбида кремния большого диаметра, из которых можно получать отдельные пластины с внеосевыми поверхностями в форме круга. 3 н. и 25 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента