US 7208094 В2, 24.04.2007. YONG QIN et al. Growth of Horizontal ZnO Nanowire Arrays on Any Substrate, "The Journal of Physical Chemistry C, 2008, vol.112, no.48, p.p.18734-18736. SHENG XU et al. Patterned Growth of Horizontal ZnO Nanowire Arrays, "Journal of the American Chemical Society", 2009, vol.131, no.19, p.p.6670-6671.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Белов Алексей Николаевич (RU) Гаврилов Сергей Александрович (RU) Дронов Алексей Алексеевич (RU) Назаркин Михаил Юрьевич (RU) Шевяков Василий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. Способ включает формирование на рабочей стороне подложки затравочного слоя оксида цинка, осаждаемого на горизонтальную поверхность рабочей стороны подложки сплошной пленкой. После осаждения затравочного слоя оксида цинка на него наносят слой защитного материала, литографически формируют локальные области затравочного слоя и слоя защитного материала с совпадающими торцевыми участками. Подложку погружают и выдерживают в химическом травителе оксида цинка для подтравливания торцевых участков затравочного слоя оксида цинка на величину, не меньшую 5 нм, а выращивание на затравочном слое латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка проводят погружением и выдержкой подложки в химическом растворе для выращивания нитевидных нанокристаллов оксида цинка рабочей стороной подложки вниз. Технический результат, заключающийся в повышении воспроизводимости процесса, достигается за счет использования нависающего края защитного слоя, который не позволяет расти нанокристаллам оксида цинка в вертикальном направлении. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента