MUSALE D.V. et al, Raman, photoluminescence and morphological studies of Si- and N-doped diamond films grown on Si(100) substrate by hot-filament chemical vapor deposition technique, "Diamond and Related Materials", 2002, vol.11, no.1, p.p.75-76. WO 2005061400 A1, 07.07.2005. US 2003131787 A1, 17.07.2003. CAO G.Z. et al, Homoepitaxial diamond filmscodoped with phosphorus and nitrogen by chemical-vapor deposition, "J. Appl. Phys.", 1995, vol.78, no.5, p.p.3125-3128.
Имя заявителя:
ЭЛЕМЕНТ СИКС ЛИМИТЕД (GB)
Изобретатели:
УИЛЛЬЯМС Стивен Дейвид (GB) ТУИТЧЕН Даниел Джеймс (GB) МАРТИНОУ Филип Морис (GB) СКАРСБРУК Джеффри Алан (GB) ФРИЛ Айан (GB)
Патентообладатели:
ЭЛЕМЕНТ СИКС ЛИМИТЕД (GB)
Приоритетные данные:
22.06.2005 GB 0512728.7 15.07.2005 US 60/699,374
Реферат
Изобретение относится к изготовлению слоя бесцветного алмаза (монокристаллического и поликристаллического) химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ-алмаза), который может быть использован, например, для оптических применений или в качестве драгоценных камней. Способ включает подготовку подложки, использование атмосферы ХОПФ-синтеза, содержащей азот в концентрации более 300 частей на миллиард (ppb), и добавление в атмосферу синтеза второго газа, содержащего атомы кремния в качестве примесных атомов второго типа, причем примесные атомы второго типа добавляют управляемым образом в количестве, обеспечивающем уменьшение негативного влияния на цвет, оказываемого азотом, при этом слой монокристаллического алмаза имеет толщину более 0,1 мм, концентрация кремния в доминирующем объеме слоя алмаза меньше или равна 2·108 атомов/см3, концентрация азота в доминирующем объеме слоя алмаза больше 2·1016 атомов/см3 и меньше или равна 2·1017 атомов/см3, а отношение концентрации азота к концентрации кремния в доминирующем объеме слоя алмаза составляет от 1:20 до 20:1. Добавление газа-источника, содержащего кремний, противодействует негативному воздействию на цвет алмаза, оказываемому содержащимся в атмосфере ХОПФ-синтеза азота. Изобретение обеспечивает получение бесцветного, обладающего малым оптическим поглощением алмаза высокой чистоты. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 табл., 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента