US 6428621 B1, 06.08.2002. US 2009053125 A1, 26.02.2009. JP 11278985 A, 12.10.1999.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Полупроводниковые кристаллы" (RU)
Изобретатели:
Васильев Александр Владимирович (RU) Литвин Дмитрий Павлович (RU) Макаров Юрий Николаевич (RU) Сегаль Александр Соломонович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Полупроводниковые кристаллы" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. В ростовой камере, снабженной теплоизоляцией, размещают параллельно одна напротив другой испаряющуюся поверхность поликристаллического карбида кремния и ростовую поверхность затравочного кристалла. Ростовую камеру нагревают. Одновременно с нагревом ростовой камеры затравочный кристалл охлаждают через пирометрическое отверстие в теплоизоляции ростовой камеры. В зоне роста создают поле рабочих температур с осевым градиентом в направлении от затравочного кристалла к источнику карбида кремния. Рост кристалла происходит за счет испарения поликристаллического карбида кремния и кристаллизации карбида кремния из паровой фазы на ростовой поверхности затравочного кристалла. Перед тем как начать охлаждение монокристалла в пирометрическое отверстие устанавливают теплоизолирующую заглушку. Температуру монокристалла снижают постепенно со скоростью 30-100°С в час, уменьшая мощность нагревателя ростовой камеры. Изобретение направлено на повышение качества монокристаллов карбида кремния при одновременном повышении скорости их роста. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента