SU 1770462 A1, 23.10.1992. RU 2222648 C2, 20.07.2003. Технология полупроводникового кремния./ Под ред. проф. докт. техн. наук Э.С.Фалькевича. - М.: Металлургия, 1992, с.248-249.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (ОАО "Красмаш") (RU)
Изобретатели:
Кутаков Виктор Васильевич (RU) Панов Петр Иннокентьевич (RU) Петров Станислав Иванович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (ОАО "Красмаш") (RU)
Реферат
Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, преимущественно поликристаллического кремния, путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые подложки и может быть использовано в реакторах с резистивным подогревом стержневых подложек и с верхним токоподводом. Подвеска-токоподвод для стержневых подложек включает обойму 1 с гнездом 2 в виде сужающегося книзу канала с вертикальной стенкой 4 и вкладыш 3 с вертикальной стенкой 6, противолежащей стенке 4 гнезда, пространство между которыми является рабочим зевом клинового зажимного механизма, образованного обоймой и вкладышем. Жесткость конструкции подвески и возможность в клиновом зажимном механизме получить большое удерживающее усилие при равномерном прижиме по всей поверхности контакта зажимаемой стержневой подложки с подвеской позволяет увеличить грузоподъемность подвески. Кроме того, ввиду того что канал гнезда суживается книзу, под действием увеличивающегося веса наращиваемого стержня в клиновом зажимном механизме пропорционально увеличивается удерживающее усилие. Равномерное поджатие по всей длине контактных поверхностей обеспечивает надежный электрический контакт. 12 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента