US 4866005 A, 12.09.1989. SU 1663060 A1, 15.07.1991. JP 10291899 A, 04.11.1998. US 6336971 B1, 08.01.2002.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ "ЛЭТИ") (RU)
Изобретатели:
Авров Дмитрий Дмитриевич (RU) Дорожкин Сергей Иванович (RU) Лебедев Андрей Олегович (RU) Лучинин Виктор Викторович (RU) Посредник Олеся Валерьевна (RU) Таиров Юрий Михайлович (RU) Фадеев Алексей Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ "ЛЭТИ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC предусматривает сублимацию источника SiC 9, размещенного в тигле, на подложку из затравочного монокристалла SiC 8 при прохождении паровой фазы источника SiC 9 через барьерный уловитель углерода (БУУ). В качестве БУУ используют не менее двух перекрывающихся пластин 10, 11, выполненных из жаропрочного материала (графита, тантала или ниобия) и установленных параллельно основанию тигля из расчета h=(0,2÷0,6)·d·(1-), где h - расстояние между перекрывающимися пластинами, мм; d - диаметр тигля, мм; - коэффициент перекрытия (отношение площади, перекрываемой смежными пластинами, к площади тигля), равный 0,5-0,8. Технический результат изобретения заключается в повышении скорости роста SiC (оптимально 1,5 мм/ч) при высоком качестве целевого продукта, характеризуемом плотностью микропор 19-25 см-2. 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента