SU 955741 A1, 10.04.1996. RU 2280719 C2, 27.07.2006. CN 2289806 Y, 02.09.1998.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (RU)
Изобретатели:
Портнов Олег Григорьевич (RU) Антипов Владимир Валентинович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов. Способ осуществляют путем выращивания монокристаллов группы KDP для нелинейных оптических элементов на прямоугольную затравку соответствующего монокристалла из группы KDP, при этом используют затравку Z-среза 2, размер которой в направлении [100] определяют одним из меньших размеров (b) апертуры прямоугольного нелинейного оптического элемента, а ее длина (L) в направлении [010] равна сумме проекций высоты (с) и второго (а) большего значения апертуры нелинейного оптического элемента на плоскость (001) и описывается следующей формулой: L=cSinc+aCosc, где с - угол синхронизма, характерный для каждого из кристаллов группы KDP, размещают ее внутри разъемного формообразователя в виде замкнутой рамки, собранного из отдельных планок, каждую из которых устанавливают в следующей последовательности: на планке основания 1 формообразователя размещают затравку 2, вертикально указанной планке устанавливают следующую планку 3, затем относительно нее под углом синхронизма c устанавливают другую планку 5, последующую планку 6 относительно предыдущей 5 размещают под углом 90°, замыкающую планку 7 устанавливают перпендикулярно планке основания 1 формообразователя, что обеспечивает заданную форму и размеры выращенного монокристалла в виде заготовки. Изобретение позволяет перейти от традиционного технологического процесса, когда при свободном размещении затравки в реакционном объеме кристаллизатора получают кристалл с естественным для данного вещества габитусом, к технологическому процессу, который позволяет получить непосредственно в процессе выращивания монокристалл-заготовку заданных габаритов и формы для изготовления оптических элементов. 1 табл., 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента