KOHEI M. ITOH et al, High Purity Isotopically Enriched 29Si and 30Si Single Crystals: Isotope Separation, Purification, and Growth, "Jpn. J. Appl. Phys., 2003, vol.42, p.p.6248-6251. RU 66342 U1, 10.09.2007. JP 2002087900 A, 27.03.2002. JP 2005060151 A, 10.03.2005.
Имя заявителя:
ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИХВВ РАН) (RU)
Изобретатели:
Гусев Анатолий Владимирович (RU) Гавва Владимир Александрович (RU)
Патентообладатели:
ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИХВВ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов изотопнообогащенного кремния 28Si или 29Si, или 30Si, который является перспективным материалом для изготовления элементов спиновой наноэлектроники, квантовых компьютеров, радиационностойких детекторов ионизирующих излучений. Способ включает выращивание монокристаллов изотопнообогащенного кремния на монокристаллическую затравку длиной L, которую изготавливают методом бестигельной зонной плавки, при этом зону расплава создают сплавлением концевой части монокристаллической затравки из кремния природного изотопного состава с концевой частью поликристаллического слитка изотопнообогащенного кремния, а затем продвигают вдоль поликристаллического слитка изотопнообогащенного кремния на расстояние L, соответствующее длине затравки и определяемое по формуле ,
Поиск патентов
Получить полное описание патента