|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТРУБЧАТЫХ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2358043 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B013/22 C30B013/34 C30B029/02 C30B029/66 | | Аналоги изобретения: | ГЛЕБОВСКИЙ В.Г. и др. Особенности выращивания профилированных поли- и монокристаллов молибдена и вольфрама, «Мет. монокристаллы», АН СССР, Ин-т металлургии. - М.: 1990, стр.40-44. SU 1213780 А1, 10.04.1995. СЕМЕНОВ В.Н. и др., Влияние условий электронно-лучевой зонной плавки на совершенство структуры монокристаллов молибдена и вольфрама,«13 Всес. Совещ. «Получение, структура, физ. свойства и применение высокочист. и монокристал. тугоплав. и редк. мет.», Суздаль, 2-4 окт., 1990: Тез. Докл. - М.: 1990, стр.24. |
| Имя заявителя: | Глебовский Вадим Георгиевич (RU) | | Изобретатели: | Глебовский Вадим Георгиевич (RU)
Штинов Евгений Дмитриевич (RU) | | Патентообладатели: | Глебовский Вадим Георгиевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла. Способ осуществляют следующим образом. Сначала обрабатываемую трубчатую заготовку 4 из вольфрама устанавливают на нижней опорной трубе 2 держателя, на верхней части трубчатой заготовки 4 устанавливают кольцевой затравочный кристалл 7 с известной ориентировкой оси роста,
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента