|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ИНДИЯ |  |
Номер публикации патента: 2344211 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B033/04 C30B033/02 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | КОЛИН Н.Г. и др. Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми нейтронами. «ФТП», т.21, вып.3, 1987, с.521-524. БРУДНЫЙ В.Н. и др. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (˜ 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов. «ФТП», т.39, вып.4, 2005, с.409-417. ЗОТОВА Н.В. и др. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU) | | Изобретатели: | Колин Николай Георгиевич (RU)
Меркурисов Денис Игоревич (RU)
Бойко Владимир Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV. Способ осуществляют путем облучения монокристаллических пластин арсенида индия быстрыми нейтронами с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Облучению подвергают монокристаллические пластины с различной степенью компенсации при плотности потока не более 1012 см-2 с-1 до флюенса Ф=(0,5÷5,0)·1015 см-2, а отжиг проводят при 850÷900°С в течение 20 минут при скорости нагрева и охлаждения 10 и 5 град/м
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента