|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕЛЛУРИТА ИЗ РАСПЛАВА ПО ЧОХРАЛЬСКОМУ |  |
Номер публикации патента: 2338816 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/20 C30B029/16 | | Аналоги изобретения: | KOBAYASHI N. Effect of fluid flow on the formation of gas bubbles in oxide crystals grown by the Czochralski method. "Journal of Crystal Growth", vol.54, N3, 1981, p.p.414-416. ВИНОКУРОВ В.А. и др. Моделирование процессов термогидродинамики при выращивании кристаллов парателлурита. «5-й Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых |
| Имя заявителя: | ГОУ ВПО Тверской государственный университет (RU),Колесников Александр Игоревич (RU),Смирнов Юрий Мстиславович (RU),Каплунов Иван Александрович (RU) | | Изобретатели: | Колесников Александр Игоревич (RU)
Смирнов Юрий Мстиславович (RU)
Каплунов Иван Александрович (RU) | | Патентообладатели: | ГОУ ВПО Тверской государственный университет (RU)
Колесников Александр Игоревич (RU)
Смирнов Юрий Мстиславович (RU)
Каплунов Иван Александрович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части кристалла осуществляют при скоростях вращения, соответствующих диапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, рассчитанных согласно формуле Re=·r(R-r)/, где - скорость вращения затравки (с-1), R - радиус тигля
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента