|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2336371 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 C30B029/02 B82B003/00 | | Аналоги изобретения: | TOGNINI P. et al. Capacitance-conductance investigation on the phase transitions in Ga nanoparticles. "Thin Solid Films", vol.380, N 1-2, 2000, p.230-232 (реферат). RU 2209785 C1, 10.08.2003. GB 2411661 A, 07.09.2005. |
| Имя заявителя: | ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (RU) | | Изобретатели: | Колесников Николай Николаевич (RU)
Кведер Виталий Владимирович (RU)
Борисенко Дмитрий Николаевич (RU)
Борисенко Елена Борисовна (RU)
Тимонина Анна Владимировна (RU)
Божко Сергей Иванович (RU) | | Патентообладатели: | ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga. Наночастицы Ga получают в кристаллической матрице моноселенида галлия путем плавления навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизации при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента