На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СВЕРХТВЕРДЫЕ АЛМАЗЫ И СПОСОБ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ | |
Номер публикации патента: 2323281 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B025/00 C30B033/02 C30B029/04 | Аналоги изобретения: | JP 58156594 А, 17.09.1983. JP 63182297 А, 27.07.1988. JP 60231498 А, 18.11.1985. KAMO M. et al. Diamond synthesis from gas phase in microwave plasma. "Journal of Crystal Growth", vol.62, № 3, 1983, p.642-644. ГАРГИН В.Г. Влияние условий нагрева на прочность синтетических алмазов. - "Сверхтвердые материалы", №4, 1981, с.9-11. |
Имя заявителя: | КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US) | Изобретатели: | ХЕМЛИ Расселл Дж. (US) МАО Хо-Кванг (US) ЯНЬ Чжи-Шию (US) | Патентообладатели: | КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения сверхтвердого монокристаллического алмаза. Монокристаллический алмаз, выращенный химическим осаждением из газовой фазы, индуцированным микроволновой плазмой, подвергают отжигу при давлениях свыше 4,0 ГПа и нагреванию до температуры свыше 1500°С. Получают алмазы, которые обладают твердостью более 120 ГПа и трещиностойкостью 6-10 Мпа м1/2.
|