|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА |  |
Номер публикации патента: 2283905 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/02 C30B029/34 | | Аналоги изобретения: | KUZMICHEVA G.M. et al. A family of langasite: Growth and structure. Journal of Crystal Growth. 2005, 275 (1-2), p. e715-e719, реферат. RU 2108417 C1, 10.04.1998. TAKEDA H. et al. Effect of starting melt composition on crystal growth of La |
| Имя заявителя: | Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (RU) | | Изобретатели: | Кузьмичева Галина Михайловна (RU)
Дубовский Александр Борисович (RU)
Доморощина Елена Николаевна (RU)
Семенкович Галина Васильевна (RU)
Цеглеев Андрей Александрович (RU)
Тюнина Елена Александровна (RU) | | Патентообладатели: | Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) методом Чохральского, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, а также разнообразных пьезоэлектрических и пьезорезонансных датчиков. Монокристаллы лангасита выращивают методом Чохральского из шихты состава La3Ga5Si0,88÷0,92Ge0,12-0,08)O14 (5.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента