|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ SiC - AlN |  |
Номер публикации патента: 2260636 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/02 C30B029/10 | | Аналоги изобретения: | TUNGASMITA S. et al. Growth of epitaxial (SiC)x(AlN) |
| Имя заявителя: | Дагестанский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Курбанов М.К. (RU)
Билалов Б.А. (RU)
Сафаралиев Г.К. (RU)
Гусейнов М.К. (RU) | | Патентообладатели: | Дагестанский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов. Сущность изобретения: Способ получения эпитаксиальных слоев твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия SiC-AlN, включает осаждение твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6Н при температуре 1000°С магнетронным ионно-плазменным распылением, осуществляемым из одной мишени поликристаллического твердого раствора SiC-AlN, изготовленной путем горячего п
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента