

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ВЫСОКОГО КАЧЕСТВА

Номер публикации патента: 2209860

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2001134296/12

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C30B015/00 C30B017/00 C30B029/22 C30B029/30
Аналоги изобретения:	JP 63159284 А, 02.07.1988. JP 08295507 А, 12.11.1996. JP 60027680 А, 12.02.1985. JP 58208193 А, 03.12.1983.

Имя заявителя:	ДЖАПЭН САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ КОРПОРЕЙШН (JP)
Изобретатели:	САСАКИ Такамото (JP) МОРИ Юсуке (JP) ЙОШИМУРА Масаши (JP)
Патентообладатели:	ДЖАПЭН САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ КОРПОРЕЙШН (JP)

Реферат

Изобретение может быть использовано для получения кристаллов CsLiB5O10 GdxY1-x Ca4O(BO3)3 (0

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"