|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ СКОРОСТНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ И ОРИЕНТИРОВАННЫХ МОНОСЕКТОРИАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР ИЗ РАСТВОРА |  |
Номер публикации патента: 2176000 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/00 C30B029/14 | | Аналоги изобретения: | RU 2133307 С1, 20.07.1999. RU 2114220 С1, 27.06.1998. RU 2136789 С1, 10.09.1999. RU 2148110 С1, 27.04.2000. WO 90/02221 А1, 08.03.1990. DE 3441541 А1, 15.05.1986. |
| Имя заявителя: | Институт прикладной физики РАН | | Изобретатели: | Кацман В.И. | | Патентообладатели: | Институт прикладной физики РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию кристаллов с заданными формой и кристаллографической ориентацией из водных растворов. Сущность изобретения: герметичный кристаллизатор, содержащий ростовую камеру и погружной центробежный насос, заполнен рабочим раствором соли полностью. Внутренние поверхности крышки кристаллизатора и платформы выполнены в виде общего усеченного конуса, а центральная часть платформы снабжена патрубком для заливки рабочего раствора в кристаллизатор и выпуска воздуха из него, при этом в рабочем режиме отверстие патрубка закрыто герметичной пробкой. Конструкция погружного центробежного насоса содержит корпус, в котором установлен статор электропровода крыльчатки, снабженный ротором, при этом величина зазоров между неподвижной частью насоса и его подвижными частями обеспечивается за счет магнитного подвеса ротора к статору. Технический результат, обеспечиваемый данным изобретением, заключается в повышении устойчивости рабочего раствора к спонтанной кристаллизации за счет устранения источников спонтанного зарождения микрокристаллов. 5 з.п.ф-лы, 1 табл., 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента