|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЗАТРАВОЧНЫЙ КРИСТАЛЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2163273 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/00 C30B023/02 C30B023/04 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | DE 3620329 A1, 02.01.1987. EP 0403887 A1, 27.12.1990. SU 400139 A, 03.07.1974. JP 61-20519 B2, 22.05.1986. WO 95/10410 A1, 20.004.1995. |
| Имя заявителя: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Изобретатели: | Йоханнес ФЕЛЬКЛЬ (DE)
Рене СТЭН (DE) | | Патентообладатели: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Номер конвенционной заявки: | 19530119.6 | | Страна приоритета: | DE | | Патентный поверенный: | Томская Елена Владимировна |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: поверхность (3) затравочного кристалла (2) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращиваемого из газовой фазы монокристалла (6) и во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), которое является химически стойким относительно затравочного кристалла (2) и газовой фазы и не плавится при температурах роста. За счет этого избегаются термические деградации затравочного кристалла (2) и повышается качество изготовленных монокристаллов (6). 2 с. и 15 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента