

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КАРБИД КРЕМНИЯ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2160227

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	99103350/12

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C01B031/36 C30B029/36
Аналоги изобретения:	US 5279701 A, 18.01.1994. SU 136328 A, 24.05.1960. SU 167836 A, 15.02.1965. SU 1706963 A1, 23.01.1992. GB 1092582 A, 29.11.1967. GB 1115237 A, 29.05.1968. GB 1522293 A, 23.08.1978. US 4906324 A, 06.03.1990. US 5221801 A, 18.05.1993. DE 3938161 A1, 13.06.1990.

Имя заявителя:	НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО., ЛТД. (JP)
Изобретатели:	ТАНИНО Кития (JP)
Патентообладатели:	НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО. ЛТД. (JP)

Реферат

Изобретение предназначено для полупроводниковой техники и может быть использовано при получении полупроводниковых подложек для светоизлучающих диодов. На подложку - монокристаллический -SiC- наносят методом термохимического осаждения из паровой фазы поликристаллический слой -SiC. Температура осаждения 1300-1900°С.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"