|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2157864 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/04 C30B007/10 C30B029/36 C01B031/36 | | Аналоги изобретения: | JP 57042600 A, 10.03.1982. SU 136328 A, 1961. JP 57183314 A, 11.11.1982 INOMATA YOSHIZO et. al. Микрокристаллы карбида кремния, выращенные из водного раствора. - Nippon kogaku, kaishi, J. Chem.Soc. Jap., Chem. and Jnd. Chem. 1981, N 9, 1360-1362. |
| Имя заявителя: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Изобретатели: | Рене ШТАЙН (DE)
Роланд РУПП (DE)
Йоханнес ФЕЛЬКЛ (DE) | | Патентообладатели: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: при высоких избыточных давлениях порошок SiC или другой исходный материал растворяют в растворителе и наращивают на затравочном кристалле. Способ позволяет изготавливать объемные монокристаллы карбида кремния.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента