|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПУТЕМ СУБЛИМАЦИОННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2155829 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/00 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | US 5288326 A, 22.02.1994. SU 1663060 A1, 15.07.1991. JP 05306199 A, 19.11.1993. US 4147572 A, 03.04.1979. JP 01305898 A, 11.12.1989. JP 04012096 A, 16.01.1992. |
| Имя заявителя: | СИМЕНС АГ (DE) | | Изобретатели: | Дитрих ШТЕФАНИ (DE)
Йоханнес ФЕЛЬКЛЬ (DE) | | Патентообладатели: | СИМЕНС АГ (DE) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Реакционную камеру 2 окружают газонепроницаемой стенкой 20, которая по меньшей мере на обращенной к реакционной камере 2 внутренней стороне 21 состоит из изготовленного CVD-способом карбида кремния. По меньшей мере часть карбида кремния стенки 20 сублимируют и наращивают на зародышевом кристалле 3 в качестве монокристалла карбида кремния 4.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента