|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ), СТРУКТУРА КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2142027 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B019/02 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | US 4912064 A, 27.03.90. SU 1590484 A1, 07.09.90. SU 1663060 A1, 15.07.91. US 4912063 A, 27.03.90. US 5661074. A, 26.08.97. |
| Имя заявителя: | Кри Рисерч, Инк. (US) | | Изобретатели: | Владимир А.Дмитриев (RU)
Светлана В.Рендакова (RU)
Владимир А.Иванцов (RU)
Келвин Х. Картер (младший) (US) | | Патентообладатели: | Кри Рисерч, Инк. (US) | | Номер конвенционной заявки: | 08/346,618 | | Страна приоритета: | US |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к способу попучения эпитаксиальных слоев карбида кремния, которые являются по существу свободными от дефектов в виде микротрубочек. Способ включает рост эпитаксиального слоя карбида кремния на подложке из карбида кремния путем жидкофазной эпитаксии из расплава карбида кремния в кремнии и в элементе, который увеличивает растворимость карбида кремния в расплаве. Атомный процент этого элемента доминирует над атомным процентом кремния в расплаве. Дефекты в виде микротрубочек, распространяемые подложкой в эпитаксиальный слой, закрываются с помощью продолжения роста эпитаксиального споя при соответствующих условиях до тех пор, пока эпитаксиальный слой не будет иметь толщину, при которой дефекты в виде микротрубочек, присутствующие в подложке, не будут по существу далее воспроизводиться в эпитаксиальном слое. Изобретение позволяет существенно уменьшить число дефектов в виде микротрубочек в эпитаксиальном слое. 5 с. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента