|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР |  |
Номер публикации патента: 2136789 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B007/00 C30B007/08 C30B029/14 | | Аналоги изобретения: | Zaitseva N.P. et al. "Stability of KH<SB>2</SB>PO<SB>4</SB> and K(H,D)<SB>2</SB> PO<SB>4</SB> solutions at fast crystal growth rates". - Journal of Crystal Growth 148(1995), p. 276 - 282. SU 65325 A, 30.10.45. SU 1484833 A1, 07.06.89. SU 955741 A1, 10.04.96. Козлова О.Г. Рост кристаллов. - Изд-во Московского университета, 1967, с. 211 - 215. |
| Имя заявителя: | Институт прикладной физики АН РФ | | Изобретатели: | Кацман В.И. | | Патентообладатели: | Институт прикладной физики АН РФ |
Реферат | |
Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики. Сущность изобретения: в кристаллизационный сосуд с рабочим раствором соответствующей соли введены две скрепленные между собой на расстоянии, определяемом требуемой толщиной кристалла, платформы, установленные с возможностью вращения. В центре нижней платформы, изготовленной в виде пластины, выполнено углубление для точечной затравки, дно которого параллельно рабочей поверхности верхней платформы, а его поперечный размер d много меньше линейных размеров платформ. Высота углубления выбрана равной 1 - 1,5d. Рабочая поверхность верхней платформы параллельна рабочей поверхности нижней платформы. При этом в качестве точечной затравки выбран кристалл с заранее заданной ориентацией кристаллографических осей х, у, z относительно его базовой поверхности. Разработанное устройство обеспечивает выращивание высококачественных кристаллических заготовок требуемой толщины и с требуемой ориентацией кристаллографических осей. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента