|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕГУЛЯРНЫХ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2117081 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B029/62 C30B029/06 C30B025/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. - М.: Наука, 1977, с. 304. 20 Воронин Ю.А., Шипулин В.А. Выращивание регулярных систем нитевидных кристаллов кремния по механизму пар-жидкость-кристалл. Электрическое и механическое свойства металлов и полупроводников. - Воронеж, 1978, с. 51 - 53. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный технический университет | | Изобретатели: | Щетинин А.А.
Небольсин В.А.
Дунаев А.И.
Попова Е.Е.
Болдырев П.Ю. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами. Сущность изобретения состоит в том, что на поверхность кремниевой пластины напыляется слой металла толщиной не менее 400  , после чего осуществляют маскирование поверхности пластины фоторезистором с последующим нанесением на нее инициирующей примеси посредством электрохимического осаждения островков металла из раствора электролита. Способ позволяет значительно уменьшить разброс параметров и обеспечить взаимозаменяемость датчиков на основе НК.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента