|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА |  |
Номер публикации патента: 2108417 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B029/34 | | Аналоги изобретения: | A.N.Gatalskaja et al. Langasitn crystal juality improvement aimed at hinh a resonators faxrication. Proc. 1995 IEEE Ieternational Frequency Control Symposium. San Francisoo. |
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" | | Изобретатели: | Бузанов О.А. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" |
Реферат | |
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката. Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является выращивание монокристаллов ЛГС, не содержащих рассеивающих центров и блоков и пригодных для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом твердофазового синтеза получают шихту путем смешивания оксидов лантана, галлия и кремния, при этом оксид галлия берут в избытке относительно стехиометрического состава. Шихту расплавляют при пониженном давлении 0,6 с 0,95 атм. Рост кристаллов проводят на предварительно ориентированную завтравку. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента