|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СУБЛИМАЦИОННЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ИСТОЧНИК КАРБИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА |  |
Номер публикации патента: 2094547 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B023/00 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | US, патент, 4866005, кл.H 01L 21/205, 1989. DE, патент, 3230727, кл.C 30B 29/36, 1984. US, патент, 4147572, кл.H 01L 21/203, 1979. |
| Имя заявителя: | Водаков Юрий Александрович | | Изобретатели: | Водаков Юрий Александрович
Мохов Евгений Николаевич
Рамм Марк Григорьевич
Роенков Александр Дмитриевич
Макаров Юрий Николаевич
Карпов Сергей Юрьевич
Рамм Марк Спиридонович
Темкин Леонид Иосифович | | Патентообладатели: | Водаков Юрий Александрович
Мохов Евгений Николаевич
Рамм Марк Григорьевич
Роенков Александр Дмитриевич
Макаров Юрий Николаевич
Карпов Сергей Юрьевич
Рамм Марк Спиридонович
Темкин Леонид Ио |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния, включающий параллельное размещение друг напротив друга испаряющей поверхности источника карбида кремния и ростовой поверхности по меньшей мере одного затравочного монокристалла карбида кремния заданного политипа, образующих зону роста, создание в зоне роста пониженного давления и поля рабочих температур с осевым градиентом в направлении от затравочного монокристалла к источнику, обеспечивающих испарение карбида кремния источника и кристаллизацию карбида кремния из паровой фазы на ростовой поверхности затравочного монокристалла, отличающийся тем, что зону роста герметизируют до достижения в ней рабочих температур, при этом процесс ведут в присутствии в зоне роста твердого раствора тантала и кремния в тантале и их химических соединений. При этом источник карбида кремния и затравочный монокристалл помещают в контейнер, выполненный с возможностью герметизации, материал внутренней поверхности которого представляет собой твердый раствор карбидов тантала и кремния в тантале и их химические соединения, а объем контейнера ограничен плоскостью закрепления затравочного монокристалла, а с боковых сторон периметром зоны роста и источника может быть использован монокристалл карбида кремния политипа 4Н, при этом в зону роста дополнительно вводят пары олова. В качестве материала источника для выращивания монокристаллов порошка при температуре, обеспечивающей частичную пересублимацию зерен карбида кремния. 2 с. и 3 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента