|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2077615 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент Франции N 2413124, кл. B 01 J 17/18, 1979. 2. Патент ГДР N 155733, кл. C 30 B 29/02, 1982. 3. Заявка ЕПВ N 0042901/131, кл. C 30 B 15/00. 4. Патент США N 4436577, кл. C 30 B 15/00, 1984. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | | Изобретатели: | Сальник З.А.
Микляев Ю.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского с однородным распределением кислорода по всей длине кристалла при обеспечении его бездислокационной структуры, что позволяет использовать эти кристаллы в производстве интегральных схем с высоким уровнем интеграции. Это достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния вытягиванием на вращающуюся затравку из расплава в тигле, поверхность которого состоит последовательно из цилиндрической и сферической частей, включающем изменение частоты вращения тигля и поддержание постоянной частоты вращения кристалла (Wкр.), при Wкр>Wт, изменение частоты вращения тигля (Wт) по мере выращивания осуществляют в зависимости от того, на каком участке тигля находится уровень расплава: цилиндрическом или сферическом. При этом при выращивании кристалла из цилиндрической части тигля Wт увеличивают на (0,1-0,5) об/мин, а при выращивании из сферической части тигля - уменьшают на (0,15-0,45) об/мин на каждый сантиметр длины кристалла. 1 табл., 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента