На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА |  |
Номер публикации патента: 2051211 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B033/02 C30B029/48 | Аналоги изобретения: | Заявка Великобритании N 2090237, кл. C 01G 9/00, 1982. |
Имя заявителя: | Институт физики твердого тела РАН | Изобретатели: | Колесников Н.Н. Кулаков М.П. Иванов Ю.Н. | Патентообладатели: | Институт физики твердого тела РАН |
Реферат |  |
Изобретение относится к способу получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка выращиванием и отжигом кристаллов. Исходный кристалл выращивают из расплава, охлаждают в устройстве для выращивания со скоростью 18-20 град/ч до комнатной температуры. Отжиг кристалла проводят в воздушной атмосфере, разогревая кристалл со скоростью не более 110 град/ч до 300 330°С, выдерживая его при этой температуре 4 5 ч.
|