|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА |  |
Номер публикации патента: 2046843 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/02 C30B029/48 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 56-141829, кл.C 01B 19/04, 1981. |
| Имя заявителя: | Институт химии высокочистых веществ РАН | | Изобретатели: | Девятых Г.Г.
Гаврищук Е.М.
Мурский Г.Л.
Коршунов И.А. | | Патентообладатели: | Институт химии высокочистых веществ РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к силовой ИК-оптике, получению пассивных элементов мощных CO2 -лазеров. Сущность изобретения: на подложки из стеклоуглерода, нагретые до 650-750°С, осаждают промежуточный слой селенида цинка в течение 5 ч при концентрации исходных реагентов 40-50 моль/м3 а основной слой при концентрации 20-26 моль/м3.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента