|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК |  |
Номер публикации патента: 2042746 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/00 C30B029/54 | | Аналоги изобретения: | Шефталь Н.Н. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. - Сб. Рост кристаллов, 1974, N 10, с.197. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН | | Изобретатели: | Охрименко Т.М.
Кузнецов В.А.
Задорожная Л.А.
Матюшкина М.Л. | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН |
Реферат | |
Сущность изобретения: в способе выращивания монокристаллических пленок водорастворимых веществ из пересыщенных водных растворов на инородную подложку с нанесенным на них рельефом в виде параллельных полосок различной конфигурации (параллельные прямые или ломаные линии) расстояние между полосками рельефа составляет 2 25 нм.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента