На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ | |
Номер публикации патента: 2040601 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B033/10 C30B029/30 | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1583478, кл. C 30B 33/00, 1990. |
Имя заявителя: | Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова | Изобретатели: | Димитрова О.В. Высоцкий Б.И. Стрелкова Е.Е. Рошкован Г.Р. Исаев В.С. Грузиненко В.Б. Безделкин В.В. | Патентообладатели: | Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова |
Реферат | |
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике. Обеспечивается возможность травления больших монокристаллов более 2 10 10 мм (кристаллы при травлении не растрескиваются), а также исключается необходимость употребления дорогостоящих неактивных температуроустойчивых материалов таких, как платина, иридий, позволяющих удешевить процесс и повысить
|