|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1398484 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | C30B023/02 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | Константинов А.О. и др. Редкие структурносовершенные карбидкремниевые p-n переходы. Письма в ЖТФ, 1981, т.7, N 21, 1335-1339. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Водаков Ю.А.
Мохов Е.Н.
Рамм М.Г.
Роенков А.Д. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе |
Реферат | |
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы. Цель изобретения - повышение морфологического и структурного совершенства слоев. Способ включает конденсацию паров источника карбида кремния на подложку карбида кремния с одной или несколькими выступающими площадками высотой 5-200 мкм, площадью 0,01-1,0 мм2 в инертной атмосфере при 1800-2400°С. Процесс проводят в течение не менее 40 мин при воздействии двух температурных градиентов, направленных перпендикулярно (осевой градиент) и параллельно (радиальный градиент) поверхности подложки. Радиальный температурный градиент выбирают равным 10-50 град/см, скорость роста слоев не более 100 мкм/ч. Получены слои с зеркально-гладкой поверхностью, имеющие высоту неровностей менее 10-3 мкм, плотность дислокаций 10-100 см-2 . 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента