WO 96041036 A2, 19.12.1996. SU 990071 A3, 15.01.1983. US 5165908 A1, 24.11.1992. US 5382412 A, 17.01.1995. JP 2001-146412 A, 29.05.2001.
Имя заявителя:
КОРЕЯ РИСЕРЧ ИНСТИТЬЮТ ОФ КЕМИКАЛ ТЕКНОЛОДЖИ (KR)
Изобретатели:
КИМ Хее Янг (KR) ЙООН Киунг Коо (KR) ПАРК Йонг Ки (KR) ЧОЙ Вон Чоон (KR)
Патентообладатели:
КОРЕЯ РИСЕРЧ ИНСТИТЬЮТ ОФ КЕМИКАЛ ТЕКНОЛОДЖИ (KR)
Приоритетные данные:
14.02.2006 KR 10-2006-0013973
Реферат
Изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов, элементов солнечных батарей. Реакционная труба расположена внутри корпуса реактора так, что внутреннее пространство корпуса реактора разделяется на внутреннюю зону, образованную внутри реакционной трубы, и внешнюю зону, образованную между корпусом реактора и реакционной трубой. Во внутренней зоне формируют слой частиц кремния и создают псевдоожиженный слой в реакторе введением псевдоожижающего газа в слой частиц кремния. Нагревают слой частиц кремния и в псевдоожиженный слой частиц кремния вводят реакционный газ, содержащий атомы кремния так, что происходит осаждение кремния во внутренней зоне. Реакционный газ, содержащий атомы кремния, выбирают из группы, состоящей из моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния или их смеси. Частицы поликристаллического кремния и отходящий газ выводят из реактора и поддерживают разность давлений между внутренней и внешней зонами в пределе 1 бар. Изобретение позволяет получать высокочистый поликристаллический кремний в реакторе с псевдоожиженным слоем, изготовленном из материала, пригодного для работы при атмосферном давлении, без ограничений по повышению реакционного давления. 13 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента